Technologie

Mit dem SILTECTRA-Verfahren lassen sich monokristalline Materialien wie Siliziumkarbid, Silizium, Galliumarsenid, Galliumnitrid, Germanium oder Saphir teilen – ohne das dabei ein Rohmaterialverlust wie beim Sägen von Wafern entsteht.

Problembeschreibung

Das derzeit gängige Verfahren Wafer herzustellen, ist das Sägen – entweder mittels einer Draht- oder einer Diamantdrahtsäge. Bei beiden Verfahren geht ein Teil des in der Regel teuren Rohmaterials als sogenannter “kerf-loss“ – Abfall, in Form von Spänen – verloren. Das bedeutet einen Verlust an Material mindestens in der Breite des Sägedrahtes, üblicherweise jedoch 110 Prozent des Sägedrahtes und mehr.

> PROBLEMBESCHREIBUNG

Lösung

Beim SILTECTRA-Verfahren wird der Wafer mit einem speziellen Polymer beschichtet. Im Anschluss daran wird der Wafer thermisch gestresst. Durch unterschiedliche thermische Eigenschaften von Wafer und Polymer bricht der Wafer in zwei Hälften ganz ohne Rohmaterialverlust. Die auf diesem Wege erzeugten Wafer werden vom Polymer abgelöst – und stehen zur Weiterverarbeitung zur Verfügung.

> SILTECTRA-LÖSUNG