Material

Mittels des von SILTECTRA entwickelten Verfahrens lassen sich unterschiedliche Materialien verlässlich splitten. Dazu gehören u.a. Silizium, Galliumarsenid, Galliumnitrid sowie Germanium, Siliziumkarbid, Indiumphosphid und Saphir.

Zuverlässiges Splitten

In der Industrie werden Halbleitermaterialien im Wesentlichen in zwei verschiedenen Kristallorientierungen verwendet – in Orientierung für Photovoltaik und als Standard-Halbleitermaterial und in der Orientierung für epitaktische Prozesse. Die revolutionäre SILTECTRA-Technologie gestattet es, Material in beiden Orientierungen verlässlich zu splitten, und unterscheidet sich damit grundlegend von anderen Verfahren.

Hohe Kostenersparnis

Die Herstellung dünnerer Wafer bringt nicht nur beim Silizium Vorteile. Bei sogenannten Compound-Materialien wie Galliumarsenid oder auch Galliumnitrid lassen sich dadurch überproportionale Kostenersparnisse erzielen. Der Einsatz des SILTECTRA-Verfahrens in der Waferproduktion ist bei diesen Verbindungshalbleitern schon allein aufgrund des Materialpreises attraktiv.

Splitten halbfertiger Devices oder teilprozessierter Zellen möglich

SILTECTRA konnte bereits zeigen, dass mit der entwickelten Technologie fertig prozessierte Devices in dünnsten Schichten vom massiven Silizium-Substrat abgelöst werden können. Somit wäre die Anwendung der Technologie nicht nur auf Substrat-Level, sondern auch vor der Vereinzelung sowie nach speziellen Arbeitsschritten innerhalb der Prozesskette denkbar. Das Verfahren lässt sich beispielsweise bei teilprozessierten Solarzellen einsetzen.