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Die SILTECTRA-Technologie ermöglicht die Herstellung von Wafern aus monokristallinen Materialien sowie die Bearbeitung von Halbleiterwafern und findet dadurch in verschiedenen Branchen ihren Einsatz.

Interessant ist der Einsatz der Technologie vor allem in der Halbleiterindustrie. Hier lässt sich der SILTECTRA-Prozess beispielsweise zum Splitten halbfertiger Devices bei der Herstellung von Speicherchips verwenden. Diese Schaltkreise müssen sehr dünn sein (50-150µm). Deshalb werden die Wafer prozessiert und dann in aufwändigen Verfahren dünner geschliffen und poliert. Dieses „Dünnen“ von Wafern erfordert einen enormen Zeit- und Kostenaufwand. Daher ist das Absplitten von Devices mit der SILTECTRA-Technologie lohnend und sinnvoll.

Auch für die Produktion von Hochleistungschips, beispielsweise für die Mobilkommunikation, bedeuten dünnere Wafer erhebliche Kostenvorteile. Je höher der Materialpreis, desto attraktiver wird die SILTECTRA-Technologie allein aufgrund ihrer Einsparpotentiale bei der Waferherstellung. Dies gilt beispielsweise für Wafer aus Compound-Materialien wie Galliumarsenid. Insbesondere das Halbleitermaterial Galliumnitrid ist nur auf komplizierten Wegen herzustellen und deswegen sehr teuer. Neben der aufwendigen Kristallzüchtung ist auch das Sägen des Materials sehr anspruchsvoll und zeitaufwendig. Der Einsatz beschränkt sich daher auf absolute High-End-Bereiche mit sehr hohen Anforderungen an die elektronischen Bauelemente.

In der Leistungselektronik werden auch Schaltkreise auf der Basis von Siliziumkarbid eingesetzt. Sie zeichnen sich durch einen extrem kleinen Schaltverlust aus, der sehr hohe Schaltfrequenzen erlaubt und damit eine Integration der Schaltungen auf sehr geringen Flächen ermöglicht. Da diese Schaltkreise zugleich bis zu 25 Prozent weniger Strom benötigen, eröffnet dieses Material ein sehr großes Potential für den Umbau der Industrie auf Nachhaltigkeit und Energieeffizienz. Das SILTECTRA-Verfahren ist hier interessant, weil sich Siliziumkarbid aufgrund seiner Härte, ähnlich wie Galliumnitrid, sehr schlecht sägen lässt.

Bei der Herstellung von Leuchtdioden (light emitting diode – LED) werden verschiedene Verfahren eingesetzt – so zum Beispiel die Abscheidung von dünnen Schichten aus Galliumnitrid auf Saphir, auf Silizium oder die Verwendung von Siliziumkarbid. SILTECTRA kann für Alternativen einen Prozess zur Senkung der Rohmaterialkosten anbieten. 85 Prozent aller weltweit hergestellten LEDs werden auf Saphir hergestellt. Hier könnte beispielsweise durch das SILTECTRA-Verfahren eine dünne Saphir-Schicht mit dem aktiven Device-/EPI-Layer abgetrennt werden.

In der Photovoltaik-Branche werden schon seit Jahren immer dünnere Wafer eingesetzt, da sich dadurch die notwendigen Mengen des Rohstoffes Silizium verringern lassen und dünnere Wafer zudem einen höheren Wirkungsgrad ermöglichen.
Die in der PV-Industrie für 2020 angestrebte Reduzierung der Waferdicke auf 100µm kann schon heute mit der SILTECTRA-Technologie realisiert werden.
Zusätzlich nutzt die PV-Branche Germanium, vor allem für die Herstellung von Hochkonzentrations-Solarzellen und Solarzellen für den Einsatz im Weltraum. Da es sich bei Germanium um ein sehr teures und seltenes Material handelt, lassen sich mit Hilfe des neuen kerf-less Wafering von SILTECTRA ebenfalls Kostenvorteile erzielen.